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netsol代理

2018-02-02 14:02:41

   深圳市英尚微電子有限公司是一家具有綜合競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的電子元件產(chǎn)品供應(yīng)商及存儲(chǔ)方案技術(shù)提供商。自創(chuàng)立以來(lái),公司一直致力于以代理國(guó)內(nèi)外著名品牌的集成電路器件,隨機(jī)記憶體產(chǎn)品作為公司的核心發(fā)展方向。

  公司是擁有一支專業(yè)的銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì),為客戶提前準(zhǔn)確的產(chǎn)品選型,技術(shù)指導(dǎo)及售后服務(wù)支持。經(jīng)過(guò)我們的努力,
 
 業(yè)務(wù)范圍已涉及:網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、移動(dòng)市場(chǎng)、M2M、消費(fèi)類(lèi)電子、工業(yè)控制、游戲產(chǎn)業(yè)、智能儀表、航天航空、汽車(chē)電子、存儲(chǔ)和服務(wù)器等行業(yè)。

      堅(jiān)持以客戶為中心、以誠(chéng)信為根本、以服務(wù)創(chuàng)品牌、以創(chuàng)新求發(fā)展,贏得客戶廣泛的信任和支持。
 
Netsol的前身為韓國(guó)Samsung SRAM事業(yè)部,分立出來(lái)后一直致力于SRAM芯片的研發(fā)與創(chuàng)新,在SRAM領(lǐng)域擁有比較完整的產(chǎn)品線:Quadruple / DDR SRAM , Synchronous SRAM(同步), Asynchronous Fast SRAM(異步)。 

現(xiàn)在使用Netsol產(chǎn)品的都為一些電子工業(yè)巨頭所使用,如3Com,CISCO,ZTE,HUAWEI等。我們的同步高速SRAM產(chǎn)品可與 ISSI,Cypress,Lyontek之系列兼容替代,比如Netsol的S7R161882M型號(hào)的產(chǎn)品可替代Cypress的CY7C1312KV18型號(hào)的產(chǎn)品, 且在某些參數(shù)性能上有一定的優(yōu)勢(shì)。

Density Org. Part number Operating VDD(V) Package
36Mb 1Mx36 S7A323630M SPB 2.3~3.5v 100TQFP
36Mb 2Mx18 S7A321830M SPB 2.3~3.5v 100TQFP
36Mb 1Mx36 S7B323635M FT 2.3~3.5V 100TQFP
36Mb 2Mx18 S7B321835M FT 2.3~3.5V 100TQFP
36Mb 1Mx36 S7N323631M NT_SPB 2.3~3.5V 100TQFP
36Mb 2Mx18 S7N321831M NT_SPB 2.3~3.5V 100TQFP
36Mb 1Mx36 S7M323635M NT_FT 2.3~3.5v 100TQFP
36Mb 2Mx18 S7M321835M NT_FT 2.3~3.5V 100TQFP
36Mb 1Mx36 S7S3236T4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7S3218T4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7T3236T4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7T3218T4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7R323682M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7R321882M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 4Mx9 S7R320982M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7R323684M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7R321884M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 4Mx9 S7R320984M QDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7S3236U2M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7S3218U2M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7S3236U4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7S3218U4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7T3236U4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7T3218U4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7I321882M DDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7I323682M DDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7I321884M DDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7I323684M DDR II 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7J323682M DDR II, SIO 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7J321882M DDR II, SIO 1.8 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7K3236T2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7K3218T2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7K3236U2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7K3218U2M DDR II+ 1.8 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7L3236T2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7L3218T2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 1Mx36 S7L3236U2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
36Mb 2Mx18 S7L3218U2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7A163630M SPB 2.3~3.5v 100TQFP
18Mb 1Mx18 S7A161830M SPB 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 512Kx36 S7B163635M FT 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 1Mx18 S7B161835M FT 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 512Kx36 S7N163631M NT_SPB 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 1Mx18 S7N161831M NT_SPB 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 512Kx36 S7M163635M NT_FT 2.3~3.5V 100TQFP
18Mb 512Kx36 S7S1636T4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7S1618T4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7T1636T4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7T1618T4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7Q163662M QDR I 1.8~2.5V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7Q161862M QDR I 1.8~2.5V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7Q163664M QDR I 1.8~2.5V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7Q161864M QDR I 1.8~2.5V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7R163682M QDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7R161882M QDR II 1.8V  
18Mb 2Mx9 S7R160982M QDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7R163684M QDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7S1618U4M QDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7T1636U4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7T1618U4M QDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7I163682M DDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7I161882M DDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7I163684M DDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7I161884M DDR II 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7J163682M DDR II, SIO 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7J161882M DDR II, SIO 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7K1636T2M DDR II+ 1.8 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7K1618T2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7K1636U2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7K1618U2M DDR II+ 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7L1636T2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7L1618T2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 512Kx36 S7L1636U2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA
18Mb 1Mx18 S7L1618U2M DDR II+, ODT 1.8V 165FBGA

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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷(xiāo)存儲(chǔ)芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。

      英尚微電子中國(guó)區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷(xiāo)商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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