高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
 

對于Everspin而言，Toggle MRAM的成功正在幫助推動其在其他產(chǎn)品領域的雄心壯志，并且最近宣布了其新的32Mb Toggle MRAM，其容量是其當前解決方案的兩倍。Everspin表示，它旨在支持需要更高密度選項的關鍵應用，例如在嵌入式系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)設備中存儲配置，設置和數(shù)據(jù)記錄，以及預測5G網(wǎng)絡驅(qū)動的設備需求。

那么，為什么不讓客戶使用兩個16Mb設備呢？

新的更高容量的Toggle MRAM可以滿足客戶的需求，這些客戶在板上放置了16兆，并在此過程中增加了復雜性并占用了更多空間。Toggle MRAM提供了簡便性，特別是當它替換SRAM和EEPROM的組合時，將其描述為“kluge修復程序”，尤其是在SRAM中添加了化學電池之后。從（設計）簡單性以及設備的長期可靠性的角度來看，真的沒有可比性。

 
Everspin的新型32Mb Toggle MRAM旨在滿足嵌入式系統(tǒng)，物聯(lián)網(wǎng)設備以及5G網(wǎng)絡設備中對配置，設置和數(shù)據(jù)記錄的不斷增長的存儲要求。
 
盡管5G仍在加速發(fā)展并仍處于測試模式，但Everspin希望它在未來兩年內(nèi)從連接的設備的角度來看爆炸式增長，并且推動這些設備的數(shù)據(jù)和代碼容量需求。僅這些設備的數(shù)據(jù)流就需要越來越多的持久性以實現(xiàn)斷電和數(shù)據(jù)記錄。

Everspin的最新Toggle MRAM已在游戲，工業(yè)，軍事和航空航天市場與客戶一起采樣，所有這些產(chǎn)品都利用了該產(chǎn)品的無限循環(huán)耐久性，可在-40C至+125C的各種溫度范圍內(nèi)進行讀寫。

除了容量更高之外，32Mb Toggle MRAM還保持了EVERSPIN所有Toggle MRAM設備中可用的快速讀寫訪問速度和20年的數(shù)據(jù)保留，該公司還發(fā)布了新的2Mb和8Mb切換數(shù)據(jù)容量要求較低的客戶，以補充現(xiàn)有的1Mb，4Mb和16Mb設備，這些設備均具有串行和并行接口以及幾種流行的封裝選項。

許多行業(yè)談論都圍繞高密度MRAM中的STT進行，而忘記了Toggle已經(jīng)存在了一段時間。Everspin于2006年首次投入生產(chǎn)，對于擁有如此龐大和多樣化客戶群的公司而言，Everspin具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。它為我們提供了在更先進，更高密度的STT上進行研發(fā)的收入。

當今Toggle MRAM的主要用途是在需要維護數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中替換SRAM電池組合，即使電源關閉或出現(xiàn)故障也是如此。在暴露于大量輻射的應用中，特別是在衛(wèi)星中，它也是SRAM或NOR閃存的絕佳替代品。輻射消除了當今主流技術(shù)的負擔。

 
Everspin目前是唯一一家銷售分立的獨立MRAM芯片的公司，并且自2006年以來一直在商業(yè)化生產(chǎn)ToggleMRAM。

STT-MRAM的開發(fā)是為了使MRAM的擴展比Toggle以往任何時候都小。Everspin的低密度舊零件是使用130納米Toggle MRAM制造的，而該公司的較新的90納米零件則使用STT。最新的Toggle MRAM產(chǎn)品的主要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工廠的極大興趣，因為它們無法制造小于28nm的NOR閃存，并且客戶正在尋找替代品，而Everspin正在幫助這些代工廠在其標準CMOS邏輯工藝上推出MRAM。使用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生產(chǎn)效率就越高，而其價格卻越便宜。這一切都是靠自己為生的，因為它越便宜，它就會賣出更多。

盡管STT-MRAM的規(guī)模可以比Toggle小，并且持續(xù)的工藝縮減將使MRAM的成本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很長一段時間內(nèi)比MRAM便宜。同時Everspin不僅是領先的Toggle MRAM播放器，該公司還是唯一一家銷售分立的，獨立的MRAM芯片的公司。Everspin代理英尚微電子可為客戶提供一切技術(shù)支持及產(chǎn)品解決方案等一體系產(chǎn)品服務。
 


本文關鍵詞：MRAM 

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