CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。字節(jié)高使能（BHE）和字節(jié)低使能（BLE）將控制寫入操作輸入到指定存儲器位置的上字節(jié)和下字節(jié)。BHE控制I/O8至I/O15，BLE控制I/O 0至I/O 7。
 
   通過斷言芯片使能（CE）和輸出使能（OE）輸入LOW并在地址線上提供所需地址來執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取。讀取數(shù)據(jù)可在I/O線上訪問（I/O0到I/O15）。字節(jié)訪問可以通過斷言所需的字節(jié)使能信號（BHE或BLE）來執(zhí)行，以從指定的地址位置讀取數(shù)據(jù)的上字節(jié)或下字節(jié)。詳情及實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替換聯(lián)系英尚微。
 
   特征
   •高速
   •tAA=10納秒/15納秒
   •低有功和備用電流
   •有效電流：ICC=38mA（典型值）
   •備用電流：ISB2=6-mA（典型值）
   •工作電壓范圍：1.65V至2.2V、2.2V至3.6V和4.5V至5.5V
   •1.0-V數(shù)據(jù)保留
   •TTL兼容輸入和輸出
   •無鉛44引腳SOJ、44引腳TSOPII和48球VFBGA封裝
 
本文關(guān)鍵詞：SRAM,CY7C1041GN

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